10-нм
техпроцесс и быстрая зарядка за 5 минут

В рамках мероприятия Snapdragon Technology Summit компания Qualcomm официально анонсировала новую флагманскую однокристальную систему для мобильных устройств — Snapdragon 835, которую ранее в СМИ было принято называть Snapdragon 830.

Однако об особенностях архитектуры новой SoC, в частности, характеристиках её CPU и GPU, представители компании предпочли не говорить — эту информацию они приберегли на более поздний срок. Сейчас же о самом чипе было сказано лишь то, что он производится корпорацией Samsung по 10-нм техпроцессу FinFET. Эта технология позволяет на 30 % увеличить эффективность использования площади кристалла, на 27 % повысить производительность процессора и на 40 % снизить его энергопотребление.

Ключевой же темой пресс-конференции стала технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, ведь Snapdragon 835 — это первая система-на-чипе, в которой она будет применяться. По информации Qualcomm, наличие функции быстрой зарядки аккумулятора является сейчас одним из основных критериев при выборе нового смартфона для 61 % пользователей. При этом 26 % владельцев недовольны своим нынешним аппаратом из-за того, что он заряжается слишком долго, а 42 % жалуются на недостаточную продолжительность его автономной работы. Этими статистическими данными чипмейкер объясняет, почему так много внимания уделяет разрабатываемой им технологии Quick Charge.

5 часов за 5 минут

Прежде всего, Quick Charge 4.0 стал производительнее: как утверждают разработчики, от версии 3.0 новую технологию отличают на 20 % большая скорость и на 30 % увеличенная эффективность подзарядки, а в сравнении со стандартом Quick Charge 1.0 четвёртое поколение быстрее уже в 2,5 раза.

Чтобы с использованием Quick Charge 4.0 получить запас энергии, достаточный для работы среднестатистического смартфона в течение пяти часов, достаточно подключить его к блоку питания на пять минут. Если же оставить аппарат заряжаться на 15 минут, то заряд его аккумулятора пополнится наполовину. Однако важно понимать, что данные цифры являются неким эталоном, полученным Qualcomm в ходе испытаний, проведённых на устройстве с 2750 мА·ч батареей. Соответственно, чем больше будет ёмкость аккумулятора, тем дольше будет длиться процесс.

Безопасность превыше всего

Отдельную часть пресс-конференции в честь Quick Charge 4.0 компания Qualcomm посвятила вопросам безопасности. На эту тему ей было что рассказать, ведь технология предусматривает четырёхуровневую защиту от перегрева смартфона во время зарядки, которую дополняют три ступени токовой защиты и столько же уровней контроля напряжения. Кроме того, применяются определённые схемы защиты блока питания, батареи и кабелей. К слову о последних: смартфоны с Quick Charge 4.0 будут способны определять тип подключённого кабеля и его качество.

Отмечается также, что Quick Charge 4.0 совместим со стандартами USB Type-C и USB Power Delivery (USB-PD), кроме того, в нём применяется третья редакция алгоритма управления питанием INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), с помощью которого система автоматически подбирает наиболее оптимальный для конкретных температурных условий режим зарядки.

Ждать осталось недолго

В рамках прошедшей пресс-конференции Qualcomm намеренно сосредоточилась на Quick Charge 4.0, оставив за кадром технические подробности о самом чипе Snapdragon 835, в котором эта технология быстрой зарядки будет реализована впервые. Но ожидание официальных новостей о нём продлится недолго: чипмейкер обещал раскрыть карты уже в первых числах января. Что же касается устройств на базе Snapdragon 835, то они начнут поступать на рынок в первой половине 2017 года.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Обзор и тестирование Qualcomm Snapdragon 835 / Аналитика

Дополнено: на второй странице — тестирование производительности платформы и результаты бенчмарков. Впервые статья опубликована 4 января 2017 года.

С каждым годом отличий между смартфонами становится все меньше. И дело не в лени производителей, которые копируют идеи друг у друга (хотя и в этом тоже), а во все возрастающей роли платформ. Когда-то мы говорили только о процессорах, затем – об однокристальных решениях, включающих еще и графический ускоритель. Сегодня та же Qualcomm предлагает системы, к которым, по сути, достаточно добавить корпус, аккумулятор и несколько индивидуальных штрихов в начинке – и получить готовый к продаже аппарат. Да, Qualcomm может даже предоставить модуль камеры в сборе.

В условиях фактически выигранной конкуренции – Intel (пока) ушла с рынка смартфонов, NVIDIA со своей Tegra тоже больше не встречается, осталась, по сути, только Mediatek – Qualcomm стремится не только укрепить лидерство, но и повысить свое влияние в сфере разработки гаджетов. При разработке флагманских смартфонов с максимальной производительностью игнорировать продукцию американского чипмейкера могут себе позволить только Apple, Samsung и Huawei, которые разрабатывают себе платформы самостоятельно. Причем и корейцы, и китайцы игнорируют не в полной мере, используя решения Qualcomm в отдельных моделях или их модификациях – например, флагманские Galaxy S выходят на американском рынке традиционно с топовыми Snapdragon на борту.

Да и вообще, пожалуй, нельзя говорить именно о борьбе – идет вполне плотное сотрудничество. Как и Qualcomm Snapdragon 820, новая платформа, Snapdragon 835, производится на фабриках Samsung, к тому же компании обмениваются друг с другом технологиями и патентами. Часть технологий будет применена в новых Exynos. А сам Snapdragon 835, можно не сомневаться, появится в Samsung Galaxy S8 для американского рынка.

Перейдем, впрочем, непосредственно к разговору о новой платформе. К сожалению, протестировать ее загодя, как в прошлом году, у нас не было возможности, поэтому ограничимся простым описанием архитектуры и ее возможностей.

Если Intel многие годы придерживался аккуратной стратегии «тик-так», применяя новые стандарты фотолитографии раз в два года, то производители мобильных платформ «наверстывают упущенное» прыжками, внедряя новые техпроцессы или раз в год, или того чаще. Впрочем, гонка скоро закончится – Snapdragon 835 производится по 10-нм технологическому процессу, а дальнейшее уменьшение размеров транзисторов будет даваться куда тяжелее. Реализация, как и прежде, – FinFET.

Как бы то ни было, Snapdragon 835 — это первая мобильная платформа, сделанная с применением 10-нм техпроцесса.

Интересно, что у Qualcomm есть свой «тик-так». Напомним, что Snapdragon 800 оснащался четырьмя оригинальными ядрами Krait, разработанными самой Qualcomm. Сменивший его Snapdragon 810 получил комбинацию стандартных, лицензированных у ARM ядер Cortex-A57 и A53, а Snapdragon 820 опять достались ядра с оригинальной архитектурой Kryo. Но, как и у Intel, в этом году «тик-так» немного перекосился: в основе Snapdragon 835 опять лежат свои собственные ядра Kryo 280, но не полностью оригинальные, а сделанные на основе ARM Cortex. В этот раз ядер стало восемь: четыре с тактовой частотой до 2,45 ГГц (будут вариации) и 2 Мбайт кеша второго уровня и четыре с тактовой частотой до 1,9 ГГц и 1 Мбайт кеша.

Естественно, работает принцип распределения задач, но в этот раз Qualcomm не просто говорит о применении архитектуры ARM big.LITTLE, а сравнивает работу своей платформы с игрой симфонического оркестра. Мощности системы задействуются еще более гибко, в число отключаемых при бездействии кластеров входит не только графическая подсистема, но и сигнальный процессор Qualcomm Hexagon 690.

За графику отвечает новый модуль Adreno 540 – но его тактовую частоту пока не называют. Он обеспечивает поддержку как OpenGL-приложений, так и Vulkan, и DirectX 12. Qualcomm делает большую ставку на виртуальную/дополненную реальность, обещая полную поддержку всех актуальных решений, в том числе, , конечно же,и Google Daydream. Для лучшей работы с VR в платформу встроен специальный сенсор с шестью степенями свободы (если видите аббревиатуру 6DoF — то это он и есть).

Также графическая система поддерживает стандарт 4K Ultra HD Premium (HDR 10) с 10-битным цветом. Можно предположить, что мобильные дисплеи в ближайшем будущем тоже будут развиваться в этом направлении.

Система поддерживает Qualcomm aptX и aptX HD Bluetooth и поддерживает звук на 32 бита/384 КГц.

Один из самых любопытных моментов, связанных с Snapdragon 835, – это не просто наличие в ее составе сигнального процессора обработки изображения, получившего имя Spectra 180 и позволяющего записывать 14-битный цвет (это до недавнего времени умели только топовые фотокамеры), а предложение уже готовых камер в сборке. Либо с одной камерой (предлагается модуль Sony IMX298), либо с двумя, работающими по принципам Huawei (RGB + монохромные сенсоры, которые дают на выходе более широкий динамический диапазон) либо LG/Apple (два сенсора и оптика с разным углом обзора). Но модули производители все-таки могут выбирать и самостоятельно: Spectra 180 поддерживает работу максимум либо с 32-мегапиксельной одиночной, либо с двумя 16-мегапиксельными камерами.

В Snapdragon 835 используется новый LTE-модем X16, обеспечивающий работу с гигабитными сетями (4х4 MIMO), а также интегрированные Wi-Fi-модемы (2×2 802.11ac Wave-2 + 802.11ad Multi-gigabit Wi-Fi). Возможно переключение трафика на лету между сетями Wi-Fi и LTE. Ход за телекоммуникационными компаниями – смартфоны на базе Qualcomm Snapdragon 835, которые появятся в продаже уже весной, будут готовы к гигабитным скоростям передачи данных.

Никуда не делся и модуль безопасности Qualcomm Haven, который обеспечивает аппаратную поддержку сканера отпечатков пальцев и аутентификацию пользователя по сетчатке глаза или лицу целиком. Haven также отвечает за создание токенов, когда вы хотите оплатить что-то при помощи телефона, а также за проверку подписей приложений и безопасную загрузку системы.

Ну и, конечно же, энергоэффективность – на это Qualcomm делает отдельный упор, уже больший, чем на рост производительности. Компания заявляет о сокращении расхода энергии на 50 % по сравнению с показателями Snapdragon 801 при несоразмерно выросшей мощности. Qualcomm поставила целью создать платформу для смартфонов, которые точно проживают день от батареи – но тут уже, конечно, не все зависит исключительно от системы-на-чипе. Тут все в первую очередь упирается, конечно, в развитие аккумуляторов.

Еще раньше была анонсирована система быстрой зарядки Quick Charge 4.0. Производитель заявляет, что скорость зарядки выросла на 20 %, а эффективность системы увеличилась на 30 %. Другая цифра: 15 минут — столько времени требуется для наполнения батареи емкостью 2750 мА·ч наполовину. Главная маркетинговая «фишка» стандарта – «5 на 5»: за 5 минут аппарат с батареей указанного объема зарядится достаточно для пяти часов работы. Очень относительная величина, конечно. Причем компания божится, что проблема перегрева в случае использования QC 4.0 исключена – инцидент с Galaxy Note7 перепугал всех не на шутку. Но самая важная новость, связанная с быстрой зарядкой, – полноценная поддержка стандарта USB Type-C, а точнее, USB Power Delivery (UDB-PD). Проблема с неподходящими для быстрой зарядки адаптерами и кабелями от сторонних производителей должна если не исчезнуть, то стать менее острой.

Первые смартфоны на Qualcomm Snapdragon 835 должны быть представлены на Mobile World Congress 2017, который пройдет в Барселоне в конце февраля-начале марта.

⇡#Тестирование производительности

Главной новостью второго знакомства с Qualcomm Snapdragon 835 стало изменение политики компании в отношении именования своего процессора. Грубо говоря, называть теперь Snapdragon процессором или даже системой-на-чипе нельзя – только мобильной платформой. Теперь это официально. Объясняется это (помимо маркетинговых нужд) тем, что Snapdragon включает в себя не только «железо», но и программные решения, а также сервисы. Выше мы уже рассказывали о составных частях Snapdragon 835. Но стоит сказать, что, например, модуль Qualcomm Haven, отвечающий за проверку токенов, цифровых подписей приложений и так далее, снабжается программной надстройкой на основе разработок Trustlook, которая позволяет «из коробки» обеспечивать относительную безопасность устройства. Хотя говорить об антивирусе, который полноценно конкурирует с регулярно обновляемыми внешними решениями, было бы все-таки слишком оптимистично. Тем не менее Qualcomm давно уже замахивалась на большее, нежели просто обеспечение аппаратной производительности, и продолжает развитие этой темы – теперь уже и в области идеологии.

Впрочем, в данном случае мы поговорим именно о производительности платформы Snapdragon 835 – мне удалось попробовать ее в деле с основными мобильным бенчмарками.

В качестве тестового аппарата был предоставлен не конечный продукт вроде Sony Xperia XZ Premium (официально первый аппарат с заявленным Snapdragon 835 на борту), а MDP (Mobile Development Platform) – платформа для разработчиков. Стандартная практика, в позапрошлом году с Qualcomm Snapdragon 820 была та же история.

Этот MDP оказался оснащен 6-дюймовым дисплеем с разрешением 2560 × 1440 (560 dpi), 6 Гбайт оперативной памяти LPDDR4 и 64 Гбайт флеш-памяти, а также неожиданно одинарной 21-мегапиксельной камерой; образец включает и Wi-Fi-модуль, и модуль сотовой связи, работающий в том числе и с 4G-сетями.

Оценивать уровень нагрева по данному аппарату, выполненному в очень толстом корпусе со съемной батареей бессмысленно. Тем не менее все-таки стоит сказать, что даже при пиковых нагрузках в бенчмарках корпус оставался максимум чуть теплым. Однако выводы о том, как ведет себя Snapdragon 835 в реальных условиях оставим до тестов коммерческих аппаратов на базе этой платформы. Ниже – только результаты тестирования.
К сожалению, загружать бенчмарки по собственному желанию представители Qualcomm не дали, отключив предварительно Google Play и оставив на борту только группу предварительно одобренных бенчмарков. Тем не менее все самое главное, в том числе и из используемого в нашем стандартом пакете, кроме 3DMark Ice Storm Unlimited (вместо него был загружен тест Sling Shot 3.1), было. Для сравнения в тех тестах, где у нас есть результаты, я выбрал аппараты на базе Snapdragon 820 (Sony Xperia XZ), Snapdragon 821 (Xiaomi Mi5s Plus), Samsung Exynos 8890 Octa (Samsung Galaxy Note 7 из-за доступности для него Geekbench 4), HiSilicon Kirin 960 (Huawei Mate 9) и Apple A10 (iPhone 7). Часть тестов уникальна и представлена в виде скриншотов с экрана.

Как видим, драматического прироста производительности на 835-й платформе по сравнению с 820-й и 821-й не произошло. Акцент в этом поколении сделан не на росте чистой вычислительной мощности, а в первую очередь на энергоэффективности. Представители компании заявляют в среднем о 25-процентном приросте в этом компоненте. В бенчмарках эта цифра заметно меньше, хотя Snapdragon в сочетании с 6 Гбайт оперативной памяти и уверенно превосходит всех конкурентов в ключевых синтетических тестах, слегка уступая только Apple A10 в производительности отдельного ядра и держась с ним наравне в плане графической мощи. Тест WEBXprt в немалой степени также говорит об оптимизации – в данном случае его результат нельзя назвать действительно валидным, хотя для иллюстрации он пригоден.
Тем не менее бросается в глаза выигрыш в большинстве задач у актуальной платформы Apple – для Snapdragon 820 в сравнении с A9 эта задача была непосильна. Говорить о каком-либо разочаровании в производительности Snapdragon 835 нет никакого смысла. Прогресс очевиден во всех направлениях.

Напоследок – пара «чистых» тестов быстродействия JavaScript. У нас есть результаты Apple iPhone разных поколений в Google Octane. Здесь тоже большое влияние оказывает браузер и его связка с аппаратной платформой. И пара Apple A10 + Safari смотрится, конечно, наголову сильнее – 25 488 баллов против 14 166 у Snapdragon 835. Это уровень Apple A9 – но сюрпризом подобный результат не стал. При смене браузера можно получить большую цифру, но в целом отставание Android-аппаратов от своих конкурентов на iOS по скорости работы в браузере пока еще сохраняется.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Qualcomm представила флагманский Snapdragon 835

Дважды нажав на многофункциональную кнопку, можно разбудить голосового помощника. С его помощью можно проложить маршрут навигатором, организовать встречу в ресторане с друзьями или отправить голосовое сообщение через мессенджер.

Частые вопросы

У меня два смартфона, можно ли подключить Redmi AirDots 2 к обоим?

Redmi AirDots можно одновременно подключить только к одному устройству.

Какая степень защиты у Redmi AirDots 2?

Наушники имеют степень защиты IPX4, док-станция не является водонепроницаемой

Можно ли с помощью Redmi AirDots 2 регулировать громкость?

Регулировка громкости на корпусе не поддерживается, необходима регулировка со смартфона.

Работают ли Redmi AirDots 2 в двухканальном режиме?

Redmi AirDots оснащены Bluetooth-чипом RTL8763BFR с поддержкой объемного двухканального звука.

Могу ли я управлять музыкой и принимать звонки при удалении на 10 метров?

Да, при отсутствии препятствий радиус подключения Redmi AirDots 2 может достигать 10 метров.

Как узнать процент заряда Redmi AirDots 2?

Возможно посмотреть заряд на устройствах с Android или iOS, но показывается заряд только главного наушника.

Можно ли подключить Redmi AirDots 2 к Xiaomi Mi Band или другим Bluetooth-устройствам?

Нет, поскольку для передачи и получения данных используются разное оборудование, не имеющее взаимной совместимости.

Умеют ли Redmi AirDots 2 автоматически отключаться?

Вне док-станции при отсутствии подключения и активности наушники автоматически отключаются примерно через 5 минут.

Понимают ли Redmi AirDots 2 голосовой ввод?

Поддержка есть на iOS, устройства на Android для голосового ввода по умолчанию используют микрофон на смартфоне.

Обеспечивается ли стабильный сигнал во время разговора, прослушивания музыки и игр?

Да, однако при использовании высокомощных излучателей Wi-Fi, 4G или создающих помехи устройств возможно возникновение незначительных заеданий.

При одновременном использовании обоих наушников в играх сколько составляет задержка?

В зависимости от условий использования, качества связи и скорости работы смартфона возможна задержка разной степени.

Как заряжать наушники?

Сначала необходимо убедиться в том, что док-станция заряжена, а контакты не загрязнены. Если условия соблюдены, следует установить наушники в док-станцию и убедиться в начале зарядки. В случае, если зарядка не началась, следует обратиться в центр послепродажной поддержки.

Новости по тегу qualcomm snapdragon 835, страница 1 из 1

Kirin 970 vs Snapdragon 845 и 835: характеристики, тесты

Процессор Kirin 970 был представлен в 2017 году на международной выставке IFA в Берлине. Первыми телефонами на чипсете стали осенние флагманы Huawei Mate 10 и Mate 10 Pro. Весной 2018 года вышли еще два смартфона на Kirin 970 — Huawei P20 и P20 Pro. Затем был Honor 10, а совсем недавно китайцы анонсировали новинку для верха среднего сегмента рынка — Huawei nova 3. Последним на момент публикации материала телефоном на K970 стал Honor Note 10, флагман дочернего бренда. К слову, бренд Honor дает китайской компании 55% продаж.

Насколько хорош HiSilicon Kirin 970? Может ли он конкурировать с прошлогодним флагманом Qualcomm Snapdragon 835, каким будет расклад сил при сравнении Kirin 970 и Snapdragon 845? Чтобы ответить на эти вопросы, мы проанализируем технические параметры процессоров, а затем сравним телефоны на этих чипах в синтетических тестах.

HiSilicon Kirin 970: характеристики

При оценке потенциала и эффективности процессора нам нужны следующие технические параметры: технологический процесс производства, архитектура ядер и тактовая частота их работы, тип графического ускорителя. Определенную роль играют другие спецификации, в частности, со-процессоры обработки изображений (ISP), искусственный интеллект, категория модема, нейронные сети, но на скорость работы они влияют в меньшей степени, по крайней мере, на данном этапе развития вспомогательных технологий.

Kirin 970: техпроцесс

Процессор Huawei Kirin 970 производится по нормам 10 нм литографии, что ставит его на одну ступень со Snapdragon 835 и Snapdragon 845. Заметим, что до 2017 года флагманские процессоры Huawei производились по 16 нм техпроцессу, что повышало расход батареи, степень нагрева и троттлинга (снижение тактовых частот) под нагрузкой.

Процессор Kirin 970: характеристики CPU

Центральный процессор в чипе HiSilicon Kirin 970 построен по технологии big.LITTLE. Это значит, что в нем объединены разные ядра — мощные и эффективные, — но принадлежащие к одному поколению. В данном случае речь идет о ядрах Cortex-A73 и Cortex-A53.

Ядра Cortex-A73 — физически крупные. Они работают на более высокой тактовой частоте (2.36 ГГц) и выполняют больше операций за такт. Ядра Cortex-A53 отличаются меньшим размером; тактовая частота снижена до 1.8 ГГц, операций за такт они выполняют меньше, но зато батарею расходуют экономнее. Подобное разделение оправдано. Оно позволяет поставить в чипсет больше ядер (8 крупных не поместить физически) и повышает автономность телефона за счет сокращения расхода энергии при решении простых задач.

Huawei Kirin 970: характеристики GPU

Графический ускоритель представлен адаптером от ARM — Mali-G72 MP12 GPU. В этой графике 12 вычислительных ядер, работает она на частоте 850 МГц. В целом графический адаптер процессора Kirin 970 хорошо себя зарекомендовал, хотя он уступает Adreno 630 из Snapdragon 845. Добавим, что аналогичная графика используется в Exynos 9810 — процессоре флагманов Samsung Galaxy S9/S9+, а также Galaxy Note 9. Отличие в том, что Samsung ставит в свои процессоры конфигурацию Mali-G72 MP18 GPU, то есть с 18 ядрами.

Huawei Kirin 970 оснащен нейронным со-процессором NPU, который повышает эффективность искусственного интеллекта. По мнению многих экспертов, искусственный интеллект в чипсете реализован успешно, он действительно улучшает производительность смартфонов. С 2018 года чипсет Kirin 970 поддерживает режим GPU Turbo, повышающий скорость работы графического адаптера. Он будет полезен тем, кто активно использует смартфон в качестве игровой приставки.

Немного о беспроводной связи. В процессоре Kirin 970 стоит LTE модем категории 18/13, который позволяет принимать данные на скорости 1,2 Гбит/сек. Из минусов отметим отсутствие поддержки Bluetooth 5. Не поддерживается стандарт Wi-Fi 802.11ad (60 ГГц), который в ближайшие 2-3 года станет более чем актуальным.

Kirin 970: сравнение со Snapdragon

В публикации мы сравниваем процессор Kirin 970 со Snapdragon 845 и 835. Многих пользователей интересует соотношение сил в парах Kirin 970 vs Snapdragon 636, Kirin 970 vs S660, Kirin 970 vs S710. (Snapdragon 710 против флагманов в Antutu.) Дабы не усложнять материал явным избытком информации, от сравнения с этими чипами мы решили отказаться. Если вы считаете его актуальным, пишите в комментариях, сделаем отдельную статью.

При сравнении Kirin 970 и Snapdragon 845/835 мы не будем повторно останавливаться на технологическом процессе производства. Все фигурирующие в статье чипы делают с помощью 10 нм литографии. Да, переход на 7 нм, фактически, уже состоялся. Первый 7 нм чип нам представят на IFA, по слухам, им станет Kirin 980. Но на момент публикации 10 нм все еще остается самым тонким техпроцессом, и в этом отношении все сравниваемые чипы равны.

Kirin 970 vs Snapdragon 835

Начнем со сравнения Kirin 970 и Snapdragon 835. Прежде всего, обратим внимание на идентичную архитектуру центрального процессора. Если почитаете технические характеристики Snapdragon 835, увидите там 8 ядер Kryo 280 CPU. Но кастомизированные ядра Qualcomm Kryo построены на референсных ядрах ARM Cortex-A73 и Cortex-A53. Такие же стоят в Kirin 970, Snapdragon 835 по организации CPU отличается от процессора Huawei в минимальной степени, и этой разницей можно пренебречь.

Результаты тестов идут ниже по тексту. Сравнение Kirin 970 и Snapdragon 835 в бенчмарках GeekBench и Antutu показывает, что по вычислительной мощности CPU и общей скорости работы между процессорами можно ставить знак равенства. Да, небольшие девиации имеются, но заметить их при ежедневном использовании телефона физически невозможно.

Kirin 970 vs 835 в GeekBench 4.1 (single-core)

Kirin 970 vs 835 в GeekBench 4.1 (multi-core)

Snapdragon 835 и Kirin 970 в AnTuTu 7

Графические ускорители Kirin 970 и Snapdragon 835 отличаются в большей степени. Если хотите, можете даже называть это отличие (или противостояние) идеологическим. В чипе Snapdragon 835 стоит графика Adreno 540, которую многие геймеры считают непревзойденной. Даже если результаты в синтетических бенчмарках показывают равенство Mali и Adreno, геймер все равно выберет Adreno, мотивируя свой выбор тем, что этот графический чип в меньшей степени подвержен троттлингу и лучше оптимизирован.

Так это или нет? Мы не будем участвовать в идеологических спорах, вместо этого просто оценим результаты тестов. Синтетика показывает, что графика Mali-G72 MP12 мало уступает графике Adreno, а где-то даже ее превосходит.

Kirin 970 vs Snapdragon 835 в GFX 3.1 Manhattan (1080p offscreen)

Kirin 970 vs S835 в GFX 3.1 Car Scene (1080p offscreen)

Kirin 970 vs S835 в Basemark X

В заключительной части сравнения Kirin 970 и Snapdragon 835 пройдемся по беспроводным технологиям. В Snapdragon 835 стоит LTE модем прошлого поколения, который поддерживает прием данных на скорости до 1 Гбит/сек. Отметим поддержку беспроводного протокола Bluetooth 5. Еще один важный момент — Snapdragon 835 поддерживает стандарт Wi-Fi 802.11ad (60 ГГц). Для флагманских смартфонов он станет обязательным атрибутом в ближайшие пару лет, хотя на текущую дату реализован только в Asus ROG Phone.

Kirin 970 и Snapdragon 845

Если в прошлом подразделе мы говорили об идентичной архитектуре CPU, то в этом надо акцентировать внимание на принципиальном отличии между ядрами Kirin 970 и Snapdragon 845. В процессоре S845 — восемь ядер Kryo 385 CPU. Это кастомизированные ядра Qualcomm Kryo, но построены они на ARM Cortex-A75 и Cortex-A55. По архитектуре CPU процессор Huawei Kirin 970 заметно уступает Snapdragon 845.

Уступает он и по рабочим частотам мощного кластера. Ядра Kryo 385 Gold (Cortex-A75) могут работать на частоте 2.8 ГГц, хотя производители часто смартфонов ограничивают пиковую частоту 2.7 ГГц.

Только за счет таковой частоты Kirin 970 проиграл бы Snapdragon 845 по чистой вычислительной мощности CPU и общей скорости работы. Но поскольку в S845 стоят еще и более мощные ядра, разница между процессорами становится настолько значительной (в районе 25-32%), что искушенный пользователь заметит ее даже при ежедневном использовании телефона, пусть и в сложных задачах.

Kirin 970 vs Snapdragon 845 в GeekBench 4.1 (single-core)

Kirin 970 vs Snapdragon 845 в GeekBench 4.1 (multi-core)

Snapdragon 845 против Kirin 970 в AnTuTu 7

Самые сложные задачи — это прорисовка 3D графики в современных играх. Здесь в уравнении появляется еще одна переменная — тип графического ускорителя. В Snapdragon 845 стоит Adreno 630. Велик соблазн сказать, что Adreno кладет Mali на обе лопатки, но это не совсем верно. CPU тоже влияет на результаты, поэтому правильнее говорить об общем превосходстве Snapdragon 845 над Kirin 970, которое в синтетических тестах графики становится еще более выраженным (в районе 49-53%).

Kirin 970 vs 845 в GFX 3.1 Manhattan (1080p offscreen)

Kirin 970 vs 845 в GFX 3.1 Car Scene (1080p offscreen)

Kirin 970 vs 845 в Basemark X

По беспроводным технология наблюдаем практически ту же картину. Процессор Qualcomm Snapdragon 845 поддерживает беспроводные стандарты Wi-Fi 802.11ad и Bluetooth 5 (о преимуществах Bluetooth 5). Кстати, именно поддержка Wi-Fi 802.11ad позволила разработчикам реализовать многие задумки в игровом смартфоне Asus ROG Phone. Модем LTE в процессорах Kirin 970 и 845 одинаковый — категория 18/13.

Сравнение Kirin 970 и Snapdragon: итоги

По негласной традиции нужны общие выводы. Нам они кажутся очевидными, но принятый формат ломать не станем.

Процессоры Kirin 970 и Snapdragon 835 сопоставимы по вычислительной мощности CPU, общей скорости работы и результатам GPU в синтетических (!) тестах. В реальной жизни разницу между ними, вы, скорее всего, не заметите, если только не являетесь заядлым геймером.

Kirin 970 и Snapdragon 845 находятся на разных ступеньках иерархической лестницы. Процессор Qualcomm намного мощнее. Разница в скорости работы достигает 50%, и это обязательно скажется на пользовательском опыте. Речь не о запуске приложений или плавной работе Android, а о более сложных задачах — автоматической фокусировке, оптической стабилизации, HDR (как работает HDR) и других функциях флагманских камер. Если же вы выбираете игровой смартфон, лучше остановиться на Xiaomi Black Shark, чем на Honor Play.

Рекомендуем почитать о новом процессоре Huawei: Kirin 710 — 8 ядер, 12 нанометров.

Вместо заключения: все смартфоны на Kirin 970

Вместо заключения мы решили выбрать все смартфоны на процессоре Kirin 970. В большинстве своем это флагманы, но попадаются и относительно доступные модели, которые вышли под брендом Honor:

Huawei P20: все характеристики и цена
Huawei P20 Pro: все характеристики и цена
Huawei Mate 10: все характеристики и цена
Huawei Mate 10 Pro: все характеристики и цена
Honor 10: все характеристики и цена
Honor Play: все характеристики и цена
Honor Note 10: все характеристики и цена
Huawei Nova 3: характеристики и цена

Qualcomm и Samsung совместно работают над 10-нм техпроцессом для новейшего мобильного процессора Snapdragon 835 — Samsung Global Newsroom

Компания Qualcomm Incorporated (NASDAQ: QCOM) объявила сегодня о том, что ее дочерняя компания Qualcomm Technologies, Inc. (QTI) и Samsung Electronics расширили свое десятилетнее стратегическое сотрудничество в области литейного производства и выпустили новейший процессор Qualcomm® Snapdragon ™ 835 от Qualcomm Technologies. с 10-нанометровым (нм) техпроцессом Samsung FinFET.

Решение использовать передовые технологии Samsung в процессоре премиум-класса следующего поколения подчеркивает неизменное стремление Qualcomm Technologies оставаться лидером в области технологий для мобильных платформ.

«Мы рады продолжить совместную работу с Samsung над разработкой продуктов, которые станут лидером в мобильной индустрии», — сказал Кейт Крессин, старший вице-президент по управлению продуктами Qualcomm Technologies. Inc. «Ожидается, что использование нового 10-нанометрового технологического узла позволит нашему процессору Snapdragon 835 премиум-класса обеспечить более высокую энергоэффективность и производительность, а также позволит нам добавить ряд новых возможностей, которые могут улучшить взаимодействие с пользователем мобильных устройств завтрашнего дня.”

В октябре Samsung объявила, что они первыми в отрасли приступили к массовому производству 10-нм технологии FinFET. По сравнению с его предшественниками на основе 14-нм FinFET, 10-нм технология Samsung позволяет на 30% увеличить эффективность по площади при увеличении производительности на 27% или снижении энергопотребления до 40%. Используя 10-нм FinFET, процессор Snapdragon 835 будет предлагать меньшую занимаемую площадь чипа, предоставляя OEM-производителям больше полезного пространства внутри будущих продуктов для поддержки более крупных батарей или более тонких конструкций.Ожидается, что усовершенствования технологического процесса в сочетании с более совершенной конструкцией микросхем значительно увеличат срок службы батареи.

«Мы рады возможности тесно сотрудничать с Qualcomm Technologies в производстве Snapdragon 835 с использованием нашей 10-нанометровой технологии FinFET», — сказал Джон Шик Юн, исполнительный вице-президент подразделения литейного бизнеса Samsung Electronics. «Это сотрудничество является важной вехой для нашего литейного бизнеса, поскольку оно означает уверенность в ведущей технологии производства микросхем Samsung»

Snapdragon 835 находится в производстве, и ожидается, что он поступит в коммерческие устройства в первой половине 2017 года.Snapdragon 835 следует за процессором Snapdragon 820/21, в разработке которого находится более 200 проектов.

.

CPU и производительность системы — Qualcomm Snapdragon 835 Performance Preview

Производительность ЦП и системы

Snapdragon 820 включает в себя первые полностью настраиваемые 64-разрядные ядра ЦП Qualcomm. IPC с плавающей запятой уникальной микроархитектуры был очень хорош, но целочисленный IPC был не лучше старого ядра ARM A57. Его энергоэффективность также была ниже, чем у конкурирующих ядер. Вместо использования пересмотренного четырехъядерного устройства Kryo для Snapdragon 835 Qualcomm решила пойти в совершенно другом направлении.

Новый Kryo 280, несмотря на похожее название, не разделяет ДНК дизайна с оригинальным Kryo. Это восьмиядерная конфигурация big.LITTLE с четырьмя «производительными» ядрами и четырьмя энергоэффективными ядрами с низким энергопотреблением. Однако уникальность Kryo 280 заключается в том, что это первая разработка ARM, в которой используется новая лицензия ARM «Built on ARM Cortex Technology» (BoC), которая позволяет поставщикам настраивать ядра ARM. Этот новый полу-настраиваемый вариант дает поставщикам возможность отличать свои продукты от продуктов, использующих стандартные ядра ARM, избегая при этом более дорогостоящего пути создания полностью настраиваемого дизайна с нуля.

Лицензия BoC позволяет производителю запрашивать определенные модификации, в частности, в блоке выборки и очередях выдачи, но определенные части микроархитектуры, в том числе конвейеры декодирования и выполнения, недоступны, поскольку изменение этих блоков требует слишком больших усилий. Qualcomm не раскрывает, какие ядра ARM служат основой для Kryo 280 или какие именно модификации он запросил, но сказал, что оба кластера ЦП используют полунезависимые ядра. Qualcomm также подтвердила, что контроллеры памяти Snapdragon 835 являются собственной разработкой.

Процессор Kryo 280 Snapdragon 835 демонстрирует заметное улучшение целочисленного IPC по сравнению с ядром Kryo 820/821. Однако это не является неожиданностью, учитывая, что целочисленная производительность не была одной из сильных сторон Kryo. Хотя для большинства рабочих нагрузок наблюдается значительный рост, есть и несколько регрессов, особенно в JPEG, Canny и Camera.Мы видели тот же образец производительности у процессора Kirin 960 A73. Эти целочисленные результаты, наряду с поведением кэша L1 / L2, соответствуют уникальному показателю производительности A73, подтверждая, что ядра производительности Kryo 280 основаны на последнем IP-адресе ARM.

Быстрое сравнение результатов Snapdragon 835 и Kirin 960 в Geekbench 4 Integer также показывает вариации производительности, которые нельзя полностью объяснить разницей в частоте или нормальным отклонением тестирования. Различия проявляются только в нескольких конкретных тестах и ​​варьируются от 9% до -5%, что опять же не является полностью неожиданным, учитывая ограниченное количество модификаций, допускаемых лицензией BoC для полустандартных конструкций.

Приведенная выше диаграмма делит общую целочисленную оценку на частоту процессора, что упрощает прямое сравнение IPC. В целом производительность ядра Kryo 280 с полу-кастомной производительностью не сильно отличается от ядра Kirin 960 A73 в этой группе рабочих нагрузок, при этом индивидуальные выгоды и потери почти усредняются. Его общий IPC также всего на 6% выше, чем у A72, и на 14% выше, чем у A57. Его преимущество перед Snapdragon 820/821 увеличивается до 22%, отчасти потому, что низкая производительность Kryo в рабочих нагрузках LLVM и HTML5 DOM снижает его общую оценку.

Хотя Snapdragon 835 опережает другие SoC в этом тесте с небольшим отрывом, это не полная победа. Как и в случае с ядрами A73 в Kirin 960, производительность в некоторых рабочих нагрузках повышается, а в других — падает.

Snapdragon 835 Kryo 280 делает два шага назад при запуске рабочих нагрузок Geekbench 4 с плавающей запятой, значительно отставая от ядра Kryo Snapdragon 820/821 и даже немного отстая от SoC с ядром A72. Его IPC находится на одном уровне с ядром Kirin 960 A73, с даже меньшими различиями между отдельными оценками, чем мы видели при выполнении целочисленных рабочих нагрузок.

Небольшое снижение производительности A73 по сравнению с A72, которое также относится к полу-кастомному Kryo 280, немного удивительно, потому что их исполнительные блоки NEON относительно не отличаются от дизайна A72. Во всяком случае, интерфейс A73 с более низкой задержкой и улучшения в системе блоков выборки и памяти должны дать ему преимущество, но это не так. Более узкий этап декодирования A73 может ограничить производительность для некоторых рабочих нагрузок, но не для всех. Как Kirin 960 A73, так и Snapdragon 835 Kryo 280 показывают меньшую пропускную способность чтения / записи кэша L2 (и меньшую пропускную способность записи L1) по сравнению с A72, что также может отрицательно сказаться на производительности.

IPC с плавающей запятой у Snapdragon 835

на 23% ниже, чем у Snapdragon 820/821. Возникает вопрос, является ли это результатом вынужденного компромисса или добровольного изменения философии дизайна. Когда Qualcomm начала работу над Kryo более 2 лет назад, она могла предвидеть новые рабочие нагрузки, которые так и не были реализованы. Или могло случиться так, что при переносе большего количества вычислительных нагрузок на GPU и DSP для повышения эффективности компания была готова пожертвовать некоторой производительностью с плавающей запятой, чтобы сэкономить площадь и мощность.

Все ядра Kryo 280, A73, A72 и A57 имеют 2 блока генерации адресов (AGU). Однако в отличие от A72 / A57, которые используют выделенные AGU для операций загрузки и сохранения, каждое AGU в Kryo 280 / A73 способно выполнять обе операции.Для Kirin 960 это изменение, среди прочего, уменьшает задержку памяти и значительно улучшает пропускную способность основной системной памяти по сравнению с Kirin 950.

Показатели задержки памяти и пропускной способности

Snapdragon 835 даже лучше, чем у Kirin 960 — до 11% с учетом различий в частоте процессора. 835 также демонстрирует впечатляющий прирост по сравнению с 820/821. Однако переход на Kryo 280 не обеспечивает такого же увеличения пропускной способности, как переход на A73 для Kirin 960, поскольку 2 AGU Kryo уже были способны выполнять как операции загрузки, так и сохранения, хотя в некоторых случаях с большей задержкой.

Производительность системы

Пока наши первоначальные результаты показывают, что Snapdragon 835 Kryo 280 — это большая МАЛЕНЬКАЯ комбинация полу-кастомных ядер процессоров A53 и A73, чьи целочисленные и плавающие IPC аналогичны Kirin 960. Тесты системного уровня, такие как PCMark, который включает несколько Однако на реалистичные рабочие нагрузки, нагружающие ЦП, ГП, ОЗУ и хранилище NAND с помощью стандартных вызовов Android API, влияют не только IPC ЦП и задержка памяти. OEM-производители устройств настраивают параметры программного обеспечения, которые управляют планировщиком и системами DVFS, для достижения желаемого баланса между производительностью и временем автономной работы, для достижения целей качества обслуживания и сохранения в пределах температурных ограничений конкретной конструкции.

Без сомнения, мы увидим разницу в производительности между грядущими устройствами Snapdragon 835, как и с другими SoC, но пока мы видим Qualcomm 835 MDP / S с наивысшим общим баллом в PCMark, чуть опережая Mate 9 и это Kirin 960 SoC. Кроме того, в целом он на 23% быстрее, чем самый производительный телефон Snapdragon 821.

Snapdragon 835 MDP / S хорошо показал себя в веб-тесте, хотя его преимущество перед Mate 9 составляет всего 10%.Его преимущество в производительности по сравнению с телефонами Snapdragon 820/821, которые все отстают от SoC с процессорами ARM A72 и A73, вырастает до 34% в этом целочисленном тесте.

Тест PCMark Writing генерирует частые короткие всплески активности на больших ядрах ЦП при выполнении различных операций, включая обработку PDF-файлов и шифрование файлов (обе целочисленные рабочие нагрузки), операции с памятью и даже чтение и запись некоторых файлов во внутреннюю NAND. Из-за этого он дает самые разные результаты.Возьмем, к примеру, разницу между телефонами Snapdragon 820/821, где LeEco Le Pro3 на 40% быстрее, чем Galaxy S7 edge. Однако разница в производительности между Snapdragon 835 MDP / S и Mate 9 незначительна. Сравнение Snapdragon 835 с более старыми членами семейства Snapdragon показывает более существенные различия; он на 24% быстрее, чем LeEco Le Pro3 (S821), на 80% быстрее, чем Nexus 6P (S810), и на 162% быстрее, чем Lenovo ZUK Z1 (S801AC).

Тест PCMark Data Manipulation — это еще одна рабочая нагрузка, в основном целочисленная, которая измеряет время, необходимое для анализа фрагментов данных из нескольких разных типов файлов, а затем записывает частоту кадров при взаимодействии с динамическими диаграммами.Опять же, Snapdragon 835 MDP / S и Mate 9 обеспечивают схожую производительность, но они немного дальше от остальных. Как мы видели в тесте Writing, телефоны, использующие Snapdragon 820, демонстрируют значительные различия в производительности, что является еще одним примером того, как OEM-перестройка влияет на взаимодействие с пользователем. Snapdragon 835 MDP / S превосходит Pixel XL на 28% и LG G5 на 111%.

Тест редактирования видео, который использует шейдеры фрагментов OpenGL ES 2.0 для применения видеоэффектов, на самом деле представляет очень небольшую нагрузку на систему.После мониторинга поведения нескольких телефонов во время выполнения этого теста я заметил, что частота графического процессора остается близкой к холостому, и большинство телефонов не переносят потоки в большой кластер ЦП, используя исключительно небольшой кластер A53, поэтому мы видим очень мало изменение производительности в этом тесте.

В тесте редактирования фотографий применяется ряд различных фотоэффектов и фильтров как с центральным, так и с графическим процессором. Snapdragon 835 MDP / S и телефоны, использующие Snapdragon 820/821, поднимаются на вершину таблицы благодаря высокой производительности ALU их графического процессора Adreno.Графический процессор Adreno 540 835 помогает ему работать на 33% лучше, чем самый производительный телефон с графическим процессором ARM, Mate 9 и Mali-G71.

Да, iPhone хорошо справляется с этими тестами JavaScript. Нет, вы не можете использовать эти тесты для сравнения IPC между SoC Apple серии A и теми, которые используются в телефонах Android, потому что они работают с разными браузерами. Значительная часть преимущества iPhone в производительности на самом деле обеспечивается движком JavaScript Safari.

Snapdragon 835 MDP / S выгодно отличается от других телефонов, использующих браузер Chrome (все телефоны используют последнюю версию). Он присоединяется к телефонам Snapdragon 820/821 в верхней части диаграммы Kraken, хотя его производительность не отличается. По сути, он соответствует Mate 9 и в ettream, но опережает телефоны Snapdragon 820/821 на 15–37%. В WebXPRT 2015 неожиданно хорошая производительность, где он опережает Mate 9 на 24% и до 67% по сравнению с Galaxy S7 (S820).

В качестве дополнительного интереса и для дальнейшего выделения эффектов программного уровня мы также провели эти тесты с использованием браузера собственной разработки Qualcomm, оптимизированного для SoC Snapdragon. Kraken видит лишь скромное улучшение до 2305 мс, но JetStream улучшается на 24% до 87, а WebXPRT 2015 подскакивает до 280, то есть на 82%.

.

Qualcomm и Samsung совместно работают над 10-нм техпроцессом для новейшего мобильного процессора Snapdragon 835

Новейший процессор Snapdragon премиум-класса Qualcomm® Snapdragon ™ 835 от Qualcomm Technologies с 10-нанометровым (нм) техпроцессом FinFET от Samsung.

Компания Qualcomm Incorporated (NASDAQ: QCOM) объявила сегодня о том, что ее дочерняя компания Qualcomm Technologies, Inc. (QTI) и Samsung Electronics расширили свое десятилетнее стратегическое сотрудничество в области литейного производства и выпустили новейший процессор Qualcomm® Snapdragon ™ 835 от Qualcomm Technologies. с 10-нанометровым (нм) техпроцессом Samsung FinFET.

Решение использовать передовые технологии Samsung в процессоре премиум-класса следующего поколения подчеркивает неизменное стремление Qualcomm Technologies оставаться лидером в области технологий для мобильных платформ.

«Мы рады продолжить совместную работу с Samsung над разработкой продуктов, которые будут лидерами в мобильной индустрии», — сказал Кейт Крессин, старший вице-президент по управлению продуктами Qualcomm Technologies. Inc. «Ожидается, что использование нового 10-нанометрового технологического узла позволит нашему процессору Snapdragon 835 премиум-класса обеспечить более высокую энергоэффективность и производительность, а также позволит нам добавить ряд новых возможностей, которые могут улучшить взаимодействие с пользователем мобильных устройств завтрашнего дня.”

В октябре Samsung объявила, что они первыми в отрасли приступили к массовому производству 10-нм технологии FinFET. По сравнению с его предшественниками на основе 14-нм FinFET, 10-нм технология Samsung позволяет на 30% увеличить эффективность по площади при увеличении производительности на 27% или снижении энергопотребления до 40%. Используя 10-нм FinFET, процессор Snapdragon 835 будет предлагать меньшую занимаемую площадь чипа, предоставляя OEM-производителям больше полезного пространства внутри будущих продуктов для поддержки более крупных батарей или более тонких конструкций.Ожидается, что усовершенствования технологического процесса в сочетании с более совершенной конструкцией микросхем значительно увеличат срок службы батареи.

«Мы рады возможности тесно сотрудничать с Qualcomm Technologies в производстве Snapdragon 835 с использованием нашей 10-нанометровой технологии FinFET», — сказал Чон Шик Юн, исполнительный вице-президент подразделения литейного бизнеса Samsung Electronics. «Это сотрудничество является важной вехой для нашего литейного бизнеса, поскольку оно свидетельствует об уверенности в передовых технологиях производства микросхем Samsung»

Snapdragon 835 сейчас находится в производстве, и ожидается, что он будет выпущен в коммерческих устройствах в первой половине 2017 года.Snapdragon 835 следует за процессором Snapdragon 820/21, в разработке которого находится более 200 проектов.

.

Qualcomm Snapdragon 835 дебютирует с 3 миллиардами транзисторов и 10-нанометровым производственным процессом

Qualcomm имеет большие амбиции в отношении процессора Snapdragon 835. Сегодня компания представит более подробную информацию о флагманском мобильном процессоре на пресс-конференции на CES 2017, крупной выставке технологий в Лас-Вегасе.

Процессор имеет 3 миллиарда транзисторов и построен с использованием усовершенствованного 10-нанометрового производственного процесса, что позволяет увеличить время автономной работы, вычислительное погружение, захват видео, мобильную связь и безопасность, — сказал Кейт Крессин, старший вице-президент по управлению продуктами в Qualcomm Technologies. , в интервью VentureBeat.Этот чип станет мозгом нового поколения мобильных устройств, от смартфонов до фотоаппаратов. И эти устройства не будут казаться людьми второго сорта по сравнению с более производительными настольными компьютерами или портативными компьютерами.

Вверху: Кейт Крессин из Qualcomm демонстрирует чип Snapdragon 835 в телефоне с эталонным дизайном.

Кредит изображения: Дин Такахаши

Сан-Диего, Калифорния, компания Qualcomm сообщила, что Snapdragon 835 находится в разработке еще в августе, и теперь компания готова рассказать гораздо больше о назначении и сроках разработки чипа.Фактически, чип сейчас находится в производстве и начнет появляться в устройствах Android и Windows 10 уже в первой половине 2017 года.

«Вы увидите это на ПК с Windows 10», — сказал Крессин.

Компания Qualcomm ранее запускала свой процессор Snapdragon 820 по 14-нанометровому процессу год назад, и появление нового чипа по новому процессу показывает, что компания агрессивно пытается идти в ногу с самыми быстрорастущими гигантами индустрии чипов. В частности, он пытается опередить Intel, крупнейшего в мире производителя микросхем, а также другие крупные компании, занимающиеся производством микросхем с оборотом 330 миллиардов долларов.

«С нашим флагманским процессором мы хотели удовлетворить строгие требования мобильной виртуальной реальности и повсеместного подключения», — сказал Крессин. «Мы хотели улучшить время автономной работы, погружение, захват, возможности подключения и безопасность. Это наши столпы ».

Вверху: график производства микросхем Qualcomm ускоряется.

Кредит изображения: Qualcomm

Крессин не сказал, какой контрактный производитель производит чип для Qualcomm.

«Я ожидаю, что Snapdragon будет самым производительным чипом для всех приложений Android в 2017 году», — сказал Патрик Мурхед, аналитик Moor Insights & Strategy.«Можно будет потрогать и их беспроводную интеграцию. Что меня очень интересует, так это его производительность в Windows 10 и Chrome OS. ПК с Windows и Chromebook станут для компании растущим рынком ».

Компания заявила, что этот чип является первым мобильным чипом, в котором используется технологический узел FinFET второго поколения, который помогает уменьшить размер чипа, удешевляет его, снижает энергопотребление и повышает производительность. Это означает, что ширина между цепями в микросхеме уменьшена до 10 нанометров по сравнению с 14 нанометрами в процессе предыдущего поколения год или два назад.10-нм процесс позволил Qualcomm создать 835 в корпусе, который на 35 процентов меньше, чем 820, построенный по 14-нм техпроцессу.

Чтобы воспользоваться преимуществами этого процесса, Qualcomm переработала микросхему с центральным процессором (ЦП) Cryo 280, чтобы увеличить время автономной работы и использовать на 2,5 часа в день больше. Кроме того, он использует технологию Qualcomm Quick Charge 4, которая дает вам дополнительные пять часов в режиме разговора с пятью минутами зарядки. В целом, энергопотребление ниже на 25 процентов.

«Мы не делали акцента на максимальной производительности», — сказал Крессин. «Мы сделали упор на время автономной работы и стабильную производительность. Если вы вставите его в гарнитуру VR, он не должен перегреться ».

Это означает, что приложения виртуальной и дополненной реальности, захват и потоковая передача 4K-контента, а также игры будут иметь увеличенное время использования при работе на мобильных устройствах, сказал Крессин.

835 также имеет полностью интегрированный модем X16 Gigabit LTE для улучшения связи. И он имеет интегрированный мультигигабитный Wi-Fi, Bluetooth 5 и 2 × 2 802.11ac с MU-MIMO, предназначенный для беспроводной передачи оптоволоконного кабеля на ваш телефон, если сети могут это поддерживать.

Встроенный графический процессор Adreno 540 имеет на 25 процентов более быструю графику по сравнению с предыдущим поколением. Графика переходит с 8-битной на 10-битную, обеспечивая в 60 раз больше цветов, что хорошо как для виртуальной реальности, так и для электронной коммерции. Он поддерживает q-синхронизацию и блокировку вывода движка рендеринга графического процессора, поэтому никогда не будет пропущенного кадра, который может вызвать у кого-то серьезную болезнь в приложении VR.И 835 будет готов для устройств Google Daydream.

«Мы думаем, что мобильная виртуальная реальность станет популярнее, — сказал Крессин. «Мы думаем, что AR будет больше, чем VR, и она будет следовать за VR. Есть гонка за сжатие VR-шлема как можно быстрее. Вот почему мы сделали упор на мощность и термики. Это ключевой показатель для элегантных форм-факторов. Вам по-прежнему нужны возможности подключения и производительность. Вы увидите более гладкий дизайн с 835 ».

Для VR: 835 поддерживает рендеринг с ямками (что экономит вычислительную мощность за счет размытия объектов, которые не находятся в поле зрения) и звука на основе сцены DSD.Гарнитуры VR могут использовать шесть степеней свободы, отслеживание взгляда и рук, а также уменьшенную задержку, которая сокращает время отклика на несколько миллисекунд.

Вверху: Qualcomm Snapdragon 835 на 35 процентов меньше, чем прошлогодний 820.

Изображение предоставлено: Qualcomm

Qualcomm также интегрировала фреймворк машинного обучения TensorFlow, одобренный Google. Встроенный цифровой сигнальный процессор будет запускать код машинного обучения. Или он может работать на графическом процессоре или процессоре. Между тем, устройство можно программировать для машинного обучения, так как его код быстро меняется.

«Мы приложили больше усилий с помощью программной среды, чтобы эффективно использовать ядра в микросхеме», — сказал Крессин.

Для захвата камера имеет разрешение 32 мегапикселя при 30 кадрах в секунду с нулевой задержкой срабатывания затвора. Благодаря Qualcomm Clear Sight он улучшил резкость в любых условиях освещения, особенно при слабом освещении. И он точно фокусируется в быстро меняющихся ситуациях. Он также имеет лучший зум и стабилизацию для фотографий и видео. И он использует процессор датчика изображения Qualcomm Spectra 180 (ISP).

«Теперь вы можете выполнять чрезвычайно быструю фокусировку», — сказал Крессин.

Безопасность будет встроена в оборудование в виде SecureMSM и Qualcomm Haven. Он защитит мобильные платежи и онлайн-банкинг с помощью аппаратных токенов, которые идентифицируют как устройство, так и пользователя.

И он может обеспечивать аппаратную аутентификацию, которая защищает данные пользователя от ввода в процессор. Это позволяет использовать такие функции, как безопасная идентификация отпечатков пальцев, распознавание глаз и лиц, а также голосовые отпечатки.Qualcomm Haven защищает камеру для безопасных мобильных платежей и обнаружения вредоносных программ нулевого дня. Система использует машинное обучение для обнаружения вредоносных приложений.

«Если у вас есть приложение для Android, оно не может получить доступ к камере, которая находится в защищенной памяти», — сказал Крессин. «Это безопасно для мобильных платежей. На аппаратном уровне мы можем собирать данные о телефоне и определять, безопасно ли он загружался ».

Компания пока не объявляет о победах в дизайне, но первая партия будет объявлена ​​в первой половине 2017 года, сказал Крессин.

.